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Solid-state Electronics

固态电子 SCIESCI

Solid-state Electronics

一般,3-6周审稿时间

4区中科院分区

Q3JCR分区

1.916影响因子

0038-1101

1879-2405

SOLID STATE ELECTRON

UNITED STATES

物理 - 工程:电子与电气

1960

87

Monthly

English

159

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期刊简介

固态电子(Solid-state Electronics)是一本由PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD出版的一本物理-工程:电子与电气学术刊物,主要报道物理-工程:电子与电气相关领域研究成果与实践。本刊已入选、科学引文索引(SCI)来源期刊,该刊创刊于1960年,出版周期Monthly。在2021年12月最新升级版中大类学科分区:物理与天体物理 ,2021-2022年最新版WOS分区等级:Q3,2021年的影响因子为1.916,CiteScore指数3.50,SJR指数0.415。本刊非开放获取期刊。

本刊旨在将优秀论文汇集在一份出版物中,报告以下领域的新原创工作:(1)固态物理和技术在电子和光电子学中的应用,包括理论和器件设计; (2) 器件的光学、电学、形态表征技术和参数提取; (3) 半导体器件的制造,以及器件相关材料的生长、测量和评估; (4) 亚微米和纳米级微电子和光电器件的物理和建模,包括处理、测量和性能评估; (5) 数值方法在固态器件和过程的建模和模拟中的应用; (6) 基于半导体和替代电子材料的纳米级电子和光电器件、光伏、传感器和 MEMS; (7)新型器件材料的合成及电光性能。

中科院分区信息

固态电子2021年12月最新升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 4区 4区
固态电子2021年12月最新基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区 4区 4区
固态电子2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区 4区 4区
名词解释:

中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果。在中科院期刊分区表中,主要参考3年平均IF作为学术影响力,最终每个分区的期刊累积学术影响力是相同的,各区的期刊数量由高到底呈金字塔式分布。

期刊数据统计

1、Cite Score
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Materials Science 小类:Materials Chemistry Q2 128 / 298
57%
大类:Materials Science 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 305 / 708
56%
大类:Materials Science 小类:Condensed Matter Physics Q2 192 / 415
53%
大类:Materials Science 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 133 / 259
48%
名词解释:

CiteScore:该指标由Elsevier于2016年提出,指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScorer的计算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的计算方法是该期刊在2019年、2020年和2021年发表的文章在2022年获得的被引次数,除以该期刊2019年、2020年和2021发表并收录于Scopus中的文章数量总和。

2、综合数据
3、本刊综合数据对比及走势

文章引用数据

文章名称 引用次数
  • Lightweight flexible indium-free oxide T...

    21
  • The photovoltaic impact of atomic layer ...

    12
  • Current-voltage analytical model and mul...

    11
  • Low-voltage electric-double-layer MoS2 t...

    11
  • Effect of defect creation and migration ...

    11
  • Characterization and modeling of 28-nm F...

    10
  • Improve the performance of CZTSSe solar ...

    10
  • A review on terahertz photogalvanic spec...

    8
  • Multi-layer WSe2 field effect transistor...

    8
  • SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heter...

    7

期刊被引用数据

期刊名称 引用次数
  • IEEE T ELECTRON DEV

    384
  • SOLID STATE ELECTRON

    207
  • J APPL PHYS

    199
  • JPN J APPL PHYS

    150
  • SEMICOND SCI TECH

    123
  • J MATER SCI-MATER EL

    111
  • IEEE J ELECTRON DEVI

    105
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    96
  • APPL PHYS LETT

    93
  • MATER RES EXPRESS

    84

期刊引用数据

期刊名称 引用次数
  • IEEE T ELECTRON DEV

    431
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    257
  • APPL PHYS LETT

    248
  • SOLID STATE ELECTRON

    207
  • J APPL PHYS

    136
  • PHYS REV B

    106
  • NATURE

    58
  • SEMICOND SCI TECH

    52
  • PHYS REV LETT

    47
  • THIN SOLID FILMS

    43

国家/地区发文数据

国家/地区名 数量
  • South Korea

    131
  • CHINA MAINLAND

    104
  • France

    76
  • USA

    53
  • GERMANY (FED REP GER)

    36
  • India

    24
  • Spain

    21
  • England

    17
  • Belgium

    16
  • Japan

    16

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