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Semiconductor Science And Technology

半导体科技 SCISCIE

Semiconductor Science And Technology

一般,3-6周审稿时间

3区中科院分区

Q3JCR分区

2.048影响因子

0268-1242

1361-6641

SEMICOND SCI TECH

ENGLAND

工程技术 - 材料科学:综合

1986

99

Monthly

English

392

投稿咨询 加急服务

期刊简介

半导体科技(Semiconductor Science And Technology)是一本由IOP PUBLISHING LTD出版的一本工程技术-材料科学:综合学术刊物,主要报道工程技术-材料科学:综合相关领域研究成果与实践。本刊已入选科学引文索引(SCI)、来源期刊,该刊创刊于1986年,出版周期Monthly。在2021年12月最新升级版中大类学科分区:工程技术 ,2021-2022年最新版WOS分区等级:Q3,2021年的影响因子为2.048,CiteScore指数3.80,SJR指数0.452。本刊非开放获取期刊。

致力于半导体研究,Semiconductor Science and Technology 的多学科方法反映了这一主题的深远性质。

期刊的范围涵盖非有机、有机和氧化物半导体的特性、它们的界面和器件的基础和应用实验和理论研究,包括:

基本属性

材料和纳米结构

设备和应用程序

制造和加工

新的分析技术

模拟

新兴领域:

用于量子技术的材料和设备

混合结构和设备

二维和拓扑材料

超材料

用于能源的半导体

柔性电子产品。

中科院分区信息

半导体科技2021年12月最新升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区 4区 4区
半导体科技2021年12月最新基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区 4区 4区
半导体科技2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 3区 4区 4区
名词解释:

中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果。在中科院期刊分区表中,主要参考3年平均IF作为学术影响力,最终每个分区的期刊累积学术影响力是相同的,各区的期刊数量由高到底呈金字塔式分布。

期刊数据统计

1、Cite Score
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 275 / 708
61%
大类:Engineering 小类:Materials Chemistry Q2 118 / 298
60%
大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q2 173 / 415
58%
大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 117 / 259
54%
名词解释:

CiteScore:该指标由Elsevier于2016年提出,指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScorer的计算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的计算方法是该期刊在2019年、2020年和2021年发表的文章在2022年获得的被引次数,除以该期刊2019年、2020年和2021发表并收录于Scopus中的文章数量总和。

2、综合数据
3、本刊综合数据对比及走势

文章引用数据

文章名称 引用次数
  • beta-Ga2O3 for wide-bandgap electronics ...

    59
  • Phase-change materials for non-volatile ...

    53
  • Metal oxide nanostructures for sensor ap...

    29
  • How to control defect formation in monol...

    28
  • Terahertz radiation detectors: the state...

    21
  • Structural, electronic and phononic prop...

    19
  • Wide-bandgap, low-bandgap, and tandem pe...

    18
  • Biaxial strain tuned electronic structur...

    17
  • A comprehensive device modelling of pero...

    15
  • The transport and optical sensing proper...

    15

期刊被引用数据

期刊名称 引用次数
  • J APPL PHYS

    337
  • SEMICOND SCI TECH

    276
  • PHYS REV B

    205
  • MATER RES EXPRESS

    191
  • APPL PHYS LETT

    185
  • JPN J APPL PHYS

    169
  • IEEE T ELECTRON DEV

    145
  • SCI REP-UK

    134
  • APPL SURF SCI

    118
  • J MATER SCI-MATER EL

    118

期刊引用数据

期刊名称 引用次数
  • APPL PHYS LETT

    1311
  • J APPL PHYS

    761
  • PHYS REV B

    700
  • IEEE T ELECTRON DEV

    412
  • PHYS REV LETT

    332
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    277
  • SEMICOND SCI TECH

    276
  • NANO LETT

    236
  • THIN SOLID FILMS

    162
  • J CRYST GROWTH

    150

国家/地区发文数据

国家/地区名 数量
  • CHINA MAINLAND

    257
  • USA

    139
  • India

    121
  • GERMANY (FED REP GER)

    95
  • South Korea

    90
  • England

    64
  • Japan

    64
  • France

    55
  • Russia

    52
  • Taiwan

    31

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